Semi-conducteurs

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DIODE LASER avec connecteur...
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DIODE LASER avec connecteur jack

Référence: 59-03678

11,500 TND Prix

ransmettre du son avec un faisceau laser nécessite peu de moyens matériels et financiers. Un laser grand public (pointeur premier prix), une petite cellule solaire (récupérée sur une calculatrice ou sur une lampe LED de jardin) et quelques autres composants "facultatifs" suffisent.

N-channel 80 V, 3.3 m ohm...
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N-channel 80 V, 3.3 m ohm MOSFET,PSMN3R3-80PS

Référence: 59-04032

12,000 TND Prix

MOSFET canal N de niveau standard dans le boîtier TO-220 qualifié à 175C. Ce produit est conçu et qualifié pour une utilisation dans une large gamme d'équipements industriels, de communication et domestiques

Ethernet ICs 8 KB RAM...
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Ethernet ICs 8 KB RAM MAC&PHY Ethernet Controller, ENC28J60-I/SS

Référence: 59-00942

12,000 TND Prix

Manufacturer: Microchip Product Category: Ethernet ICs RoHS: RoHS Compliant Details Brand: Microchip Technology Product: Ethernet Controllers Supply Voltage - Max: 3.6 V Supply Voltage - Min: 3.1 V Maximum Operating Temperature: + 85 C Package / Case: SSOP-28 Packaging: Tube Ethernet Connection Type: 10/100/1000Base-T Interface: SPI Minimum Operating Temperature: - 40 C Mounting Style: SMD/SMT

HFA08TB60 Diode Redresseurs...
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HFA08TB60 Diode Redresseurs 600 Volt 8.0 Amp, HFA08TB60

Référence: 59-01110

12,600 TND Prix

Fabricant: Vishay Catégorie du produit: Redresseurs RoHS: RoHS : conforme Détails Produit: Ultra Fast Recovery Rectifiers Configuration: Single Tension inverse: 600 V Chute de tension directe: 2.1 V at 16 A Délai de reprise: 55 ns Envoi du courant continu: 8 A Courant de surtension max.: 60 A Courant inversé IR: 5 uA Style de montage: Through Hole Package/Boîte: TO-220-2 Conditionnement: Tube Marque: Vishay Semiconductors Température de fonctionnement max.: + 150 C Température de fonctionnement min.: - 55 C Catégorie du produit: HEXFRED Diodes

MOSFET N-Channel 200V 19A...
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MOSFET N-Channel 200V 19A D2PAK-2, B19NB20

Référence: 59-01448

14,000 TND Prix

Fabricant: STMicroelectronics Catégorie du produit: MOSFET RoHS: Non Polarité du transistor: N-Channel Vds - Tension de rupture drain-source: 200 V Vgs - Tension de rupture grille-source: 30 V Id - Courant continu de fuite: 19 A Rds On - Résistance drain-source: 180 mOhms Configuration: Single Température de fonctionnement max.: + 150 C Pd - Dissipation d’énergie : 125 W Style de montage: SMD/SMT Package/Boîte: D2PAK-2 Conditionnement: Tube Marque: STMicroelectronics Mode canal: Enhancement Temps de descente: 10 ns Température de fonctionnement min.: - 60 C Temps de montée: 15 ns Série: STB19N

NPN Power Transistors, 2N5239
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NPN Power Transistors, 2N5239

Référence: 59-01486

15,000 TND Prix

Specifications: Package / Case TO-3 Transistor Polarity NPN Collector−Emitter Voltage Vceo 225V Minimum hfe @ Current Ic @ Vceo 20 @ 2A @ 10Vdc Minimum Base Current Ib 2A Maximum Current Ic 5A

MOSFET N-Channel 30A 200V,...
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MOSFET N-Channel 30A 200V, IRF250

Référence: 59-01159

16,000 TND Prix

Features • 30A, 200V • rDS(ON) = 0.085Ω • Single Pulse Avalanche Energy Rated • SOA is Power Dissipation Limited • Nanosecond Switching Speeds • Linear Transfer Characteristics • High Input Impedance • Related Literature - TB334 “Guidelines for Soldering Surface

IGBT 63A 600V N Chanel...
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IGBT 63A 600V N Chanel G30N60C3D

Référence: 59-02979

19,000 TND Prix

Fabricant: Fairchild Semiconductor Catégorie du produit: Transistors IGBT RoHS: RoHS : conforme Détails Configuration: Single Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.: 600 V Tension de saturation collecteur-émetteur : 1.5 V Tension de l'émetteur de porte max.: +/- 20 V Courant collecteur continu de 25 C: 63 A Courant de fuite gâchette-émetteur: +/- 100 nA Dissipation de la puissance: 208 W Température de fonctionnement max.: + 150 C Package/Boîte: TO-247-3 Conditionnement: Tube Marque: Fairchild Semiconductor Courant de collecteur continu Ic max.: 63 A Température de fonctionnement min.: - 40 C Style de montage: Through Hole Série: HGTG30N60 Nombre de pièces de l'usine: 150 Raccourcis pour l'article N°: HGTG30N60C3D_NL

CONVERTISSEUR DC/DC 2W 5V...
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CONVERTISSEUR DC/DC 2W 5V TRACOPOWER, TMR4811

Référence: 59-00741

25,000 TND Prix

CONVERTISSEUR DC/DC 2W 5V Type Convertisseur DC/DC: POL isolé Type de sortie de convertisseur DC/DC: Fixe Montage de Convertisseur DC / DC: Traversant Tension, entrée c.c. min.: 36V Tension, entrée c.c. max..: 75V Tension de sortie Nom.: 5V Courant, sortie max.: 400mA Puissance, sortie max..: 2W Profondeur: 21.8mm Largeur: 9.2mm Hauteur: 11.1mm Courant, sortie: 400mA Nombre de canaux de sortie: 1 Puissance: 2W Tension, alimentation: 48V Tension, entrée max..: 75VDC Tension, entrée min.: 36VDC Tension, isolation: 1kV Tension, sortie: 5V

PIC32MX575F512H-80/PT
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PIC32MX575F512H-80/PT

Référence: 59-04101

27,000 TND Prix

Catégorie de produit : Microcontrôleurs
Fabricant :Microchip
TechnologyDescription :MCU MIPS32R M4K ? 32-Bit -40°C ~ 85°C (TA) FLASH 512KB (512K x 8) PIC® 32MX 80MHz 64-TQFP (10x10)
Paquet : 64
-TQFPQuantité : 128 PCS
État sans plomb / État RoHS : Sans plomb / Conformité RoHS

MOSFET N-Channel 11A 500V,...
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MOSFET N-Channel 11A 500V, IRF450

Référence: 59-01160

30,000 TND Prix

MOSFET TRANSISTOR Polarité transistor: Canal N Courant de drain Id: 12A Tension Vds max..: 500V Résistance Rds(on): 400mohm