Semi-conducteurs
Diodes et redresseurs Schottky 3A 40V, 1N5822RL
Référence: 59-00844
Produit: Schottky Rectifiers Tension inverse de pointe: 40 V Envoi du courant continu: 3 A Courant de surtension max.: 80 A Configuration: Single Chute de tension directe: 0.525 V Courant de fuite inverse max.: 2000 uA Plage de températures de fonctionnement: + 150 C Style de montage: Through Hole Package/Boîte: DO-201AD Conditionnement: Ammo Pack Marque: STMicroelectronics Catégorie du produit: Power Schottky Rectifiers Série: 1N5822
Transistors bipolaires - BJT NPN Gen Pur Power, TIP29A
Référence: 59-05425
Transistors bipolaires - BJT NPN Gen Pur Power
2N2222A, Transistor bipolaire, NPN, 600 mA, 40 V, TO-18, 3 broches
Référence: 59-02968
Transistor bipolaire, NPN, 600 mA, 40 V, TO-18, 3 broches
Pont de diode 4A 600V, KBL406 ,KBL06
Référence: 59-01694
Fabricant: GeneSiC Semiconductor Catégorie du produit: Redresseurs en pont RoHS: RoHS : conforme Détails Tension inverse de pointe: 600 V Tension inverse RMS maximale: 420 V Envoi du courant continu: 4 A Courant de surtension max.: 120 A Chute de tension directe: 1.1 V Courant de fuite inverse max.: 5 uA Température de fonctionnement max.: + 150 C Style de montage: Through Hole Package/Boîte: KBL Conditionnement: Bulk Marque: GeneSiC Semiconductor Température de fonctionnement min.: - 55 C Série: KBL4 Nombre de pièces de l'usine: 500
TIP42C, Transistor simple bipolaire, PNP, 100 V, 6 A, 65 W
Référence: 59-08263
Le TIP42C est un transistor de puissance silicium-plastique complémentaire de -100V PNP conçu pour être utilisé dans des applications d'amplificateur de puissance et de commutation générales.
Pont de Diode Monophasé 400V 1.5A W04G-E4/51
Référence: 59-05279
Fabricant: GeneSiC Semiconductor Catégorie du produit: Redresseurs en pont RoHS: RoHS : conforme Détails Tension inverse de pointe: 600 V Tension inverse RMS maximale: 420 V Envoi du courant continu: 4 A Courant de surtension max.: 120 A Chute de tension directe: 1.1 V Courant de fuite inverse max.: 5 uA Température de fonctionnement max.: + 150 C Style de montage: Through Hole Package/Boîte: KBL Conditionnement: Bulk Marque: GeneSiC Semiconductor Température de fonctionnement min.: - 55 C Série: KBL4 Nombre de pièces de l'usine: 500
SR12-LF-T7, Suppresseurs ESD / diodes TVS SOT 143 12V 500W Low Capacitance
Référence: 59-05951
BD136, Transistor simple bipolaire (BJT), NPN, 45 V, 1.25 W, 1 A, 40 hFE
Référence: 59-07041
Le BD136 est un transistor basse tension planaire épitaxial complémentaire PNP monté dans un boîtier en plastique. Conçu pour les amplificateurs et les drivers audio en utilisant des circuits complémentaires ou Quasi complémentaires.
Pré-sélectionné du gain de courant DC
Applications
Industrie, Gestion d'alimentation, Audio
Avertissements
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Transistor simple bipolaire (BJT), NPN, 45V, 1.25W, 1.5A, 250 hFE, BD135
Référence: 59-05780
Pont de diode 2A 50V 2W005G-E4/51
Référence: 59-04177
Faible courant c.c. inverse
Mallette à grande rigidité diélectrique
Structure avec fils pour carte de circuit imprimé (CI) à montage traversant
BU626 NPN 10A 400V package TO-3
Référence: 59-03255
Type Designator: BU626
Material of Transistor: Si
Polarity: NPNPackage: TO3
BDV66C, Transistor de puissance PNP, Darlington, 120V, 16A, TO247
Référence: 59-08784
Diodes et redresseurs Schottky 8.0 Amp 100 Volt, 8TQ100S
Référence: 59-05190
Fabricant: Vishay Catégorie du produit: Diodes et redresseurs Schottky RoHS: RoHS : conforme Détails Marque: Vishay Semiconductors Produit: Schottky Rectifiers Tension inverse de pointe: 100 V Envoi du courant continu: 8 A Courant de surtension max.: 850 A Configuration: Single Chute de tension directe: 0.88 V at 16 A Courant de fuite inverse max.: 550 uA Plage de températures de fonctionnement: - 55 C to + 175 C Style de montage: Through Hole Package/Boîte: TO-220-2
STTH1210D 1000V 12A
Référence: 59-02838
Product: Ultra Fast Recovery Rectifiers Configuration: Single Reverse Voltage: 1000 V Forward Voltage Drop: 2 V Recovery Time: 48 ns Forward Continuous Current: 12 A Max Surge Current: 80 A Reverse Current IR: 10 uA Mounting Style: Through Hole Package / Case: TO-220-2
BYV28-200
Référence: 59-03284
Caractéristique d'avalanche contrôlée
• Faible tension directe
• Temps de récupération ultra rapide
• Jonction passivée au verre
• Emballage hermétiquement scellé
Transistor bipolaire NPN, 2N3741
Référence: 59-02970
Catégorie Puissance bipolaire Configuration Simple Courant continu de Collecteur maximum 30 A Dimensions 8.7 x 39.5 x 26.2mm Dissipation de puissance maximum 150 W Fréquence de fonctionnement maximum 0,2 MHz Gain en courant DC minimum 5 Hauteur 8.7mm Largeur 26.2mm Longueur 39.5mm Nombre d'éléments par circuit 1 Nombre de broche 3 Température d'utilisation maximum +200 °C Température de fonctionnement minimum -65 °C Tension Collecteur Base maximum 50 V Tension Collecteur Emetteur maximum 40 V Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 4 V Tension Emetteur Base maximum 5 V Type de boîtier TO-3 Type de montage Traversant Type de transistor NPN
Pont de Diode 15A 600V GSIB1560-E3/45
Référence: 59-05286
Fabricant: GeneSiC Semiconductor Catégorie du produit: Redresseurs en pont RoHS: RoHS : conforme Détails Tension inverse de pointe: 600 V Tension inverse RMS maximale: 420 V Envoi du courant continu: 4 A Courant de surtension max.: 120 A Chute de tension directe: 1.1 V Courant de fuite inverse max.: 5 uA Température de fonctionnement max.: + 150 C Style de montage: Through Hole Package/Boîte: KBL Conditionnement: Bulk Marque: GeneSiC Semiconductor Température de fonctionnement min.: - 55 C Série: KBL4 Nombre de pièces de l'usine: 500
Transitor NPN de puissance 60V 8A, BD201
Référence: 59-02981
Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 45V(Min)- BD201 Complement to Type BD202/204 APPLICATIONS Designed for use in hi-fi equipment delivering an output of 15 to 15 W into a 4Ω or 8Ω load
Pont de diode Monophasé 600V 25A GSIB2560-E3/45
Référence: 59-05273
Fabricant: GeneSiC Semiconductor Catégorie du produit: Redresseurs en pont RoHS: RoHS : conforme Détails Tension inverse de pointe: 600 V Tension inverse RMS maximale: 420 V Envoi du courant continu: 4 A Courant de surtension max.: 120 A Chute de tension directe: 1.1 V Courant de fuite inverse max.: 5 uA Température de fonctionnement max.: + 150 C Style de montage: Through Hole Package/Boîte: KBL Conditionnement: Bulk Marque: GeneSiC Semiconductor Température de fonctionnement min.: - 55 C Série: KBL4 Nombre de pièces de l'usine: 500
2N5303, Transistor simple bipolaire (BJT), NPN, 80 V, 20 A, 200 W, TO-3, Traversant
Référence: 59-02967
Matrice de diodes bidirectionel TVS,ITA6V5B3 ,ITA25B3
Référence: 59-01278
Bidirectional Transil™, transient voltage surge suppressor (TVS) array for data line protection Applications Differential data transmission lines protection, such as: ■ RS-232 ■ RS-423 ■ RS-422 ■ RS-485
Microcontrôleurs 8 bits - MCU HC705P6A 176 BYTES RAM, MC705P6ACPE
Référence: 59-05528
Microcontrôleurs 8 bits - MCU HC705P6A 176 BYTES RAM, MC705P6ACPE
DIODE LASER avec connecteur jack
Référence: 59-03678
ransmettre du son avec un faisceau laser nécessite peu de moyens matériels et financiers. Un laser grand public (pointeur premier prix), une petite cellule solaire (récupérée sur une calculatrice ou sur une lampe LED de jardin) et quelques autres composants "facultatifs" suffisent.
Microcontrôleurs 8 bits - MCU MCU 128RAM 4K FLASH A/D, MC908JL3ECPE
Référence: 59-05527
Microcontrôleurs 8 bits - MCU MCU 128RAM 4K FLASH A/D, MC908JL3ECPE
Microcontroleur 8 bits - MCU NITRON SOG, MC908QY4CPE
Référence: 59-01400
Microcontroleur 8 bits - MCU NITRON SOG, MC908QY4CPE
HFA08TB60 Diode Redresseurs 600 Volt 8.0 Amp, HFA08TB60
Référence: 59-01110
Fabricant: Vishay Catégorie du produit: Redresseurs RoHS: RoHS : conforme Détails Produit: Ultra Fast Recovery Rectifiers Configuration: Single Tension inverse: 600 V Chute de tension directe: 2.1 V at 16 A Délai de reprise: 55 ns Envoi du courant continu: 8 A Courant de surtension max.: 60 A Courant inversé IR: 5 uA Style de montage: Through Hole Package/Boîte: TO-220-2 Conditionnement: Tube Marque: Vishay Semiconductors Température de fonctionnement max.: + 150 C Température de fonctionnement min.: - 55 C Catégorie du produit: HEXFRED Diodes