BD679, Transistor Darlington NPN, 4A, 80 V, SOT-32, Traversant, 3 broches
Référence: 59-08788
Filtres actifs
Référence: 59-08788
Référence: 59-00844
Produit: Schottky Rectifiers Tension inverse de pointe: 40 V Envoi du courant continu: 3 A Courant de surtension max.: 80 A Configuration: Single Chute de tension directe: 0.525 V Courant de fuite inverse max.: 2000 uA Plage de températures de fonctionnement: + 150 C Style de montage: Through Hole Package/Boîte: DO-201AD Conditionnement: Ammo Pack Marque: STMicroelectronics Catégorie du produit: Power Schottky Rectifiers Série: 1N5822
Référence: 59-05425
Transistors bipolaires - BJT NPN Gen Pur Power
Référence: 59-02968
Référence: 59-01694
Fabricant: GeneSiC Semiconductor Catégorie du produit: Redresseurs en pont RoHS: RoHS : conforme Détails Tension inverse de pointe: 600 V Tension inverse RMS maximale: 420 V Envoi du courant continu: 4 A Courant de surtension max.: 120 A Chute de tension directe: 1.1 V Courant de fuite inverse max.: 5 uA Température de fonctionnement max.: + 150 C Style de montage: Through Hole Package/Boîte: KBL Conditionnement: Bulk Marque: GeneSiC Semiconductor Température de fonctionnement min.: - 55 C Série: KBL4 Nombre de pièces de l'usine: 500
Référence: 59-00407
Capteur a effet Hal Micronas
Référence: 59-08263
Le TIP42C est un transistor de puissance silicium-plastique complémentaire de -100V PNP conçu pour être utilisé dans des applications d'amplificateur de puissance et de commutation générales.
Référence: 59-05279
Fabricant: GeneSiC Semiconductor Catégorie du produit: Redresseurs en pont RoHS: RoHS : conforme Détails Tension inverse de pointe: 600 V Tension inverse RMS maximale: 420 V Envoi du courant continu: 4 A Courant de surtension max.: 120 A Chute de tension directe: 1.1 V Courant de fuite inverse max.: 5 uA Température de fonctionnement max.: + 150 C Style de montage: Through Hole Package/Boîte: KBL Conditionnement: Bulk Marque: GeneSiC Semiconductor Température de fonctionnement min.: - 55 C Série: KBL4 Nombre de pièces de l'usine: 500
Référence: 59-05951
Référence: 59-07041
Le BD136 est un transistor basse tension planaire épitaxial complémentaire PNP monté dans un boîtier en plastique. Conçu pour les amplificateurs et les drivers audio en utilisant des circuits complémentaires ou Quasi complémentaires.
Pré-sélectionné du gain de courant DC
Applications
Industrie, Gestion d'alimentation, Audio
Avertissements
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Référence: 59-05780
Référence: 59-04177
Faible courant c.c. inverse
Mallette à grande rigidité diélectrique
Structure avec fils pour carte de circuit imprimé (CI) à montage traversant
Référence: 59-03255
Type Designator: BU626
Material of Transistor: Si
Polarity: NPNPackage: TO3
Référence: 59-08784
Référence: 59-05190
Fabricant: Vishay Catégorie du produit: Diodes et redresseurs Schottky RoHS: RoHS : conforme Détails Marque: Vishay Semiconductors Produit: Schottky Rectifiers Tension inverse de pointe: 100 V Envoi du courant continu: 8 A Courant de surtension max.: 850 A Configuration: Single Chute de tension directe: 0.88 V at 16 A Courant de fuite inverse max.: 550 uA Plage de températures de fonctionnement: - 55 C to + 175 C Style de montage: Through Hole Package/Boîte: TO-220-2
Référence: 59-02838
Product: Ultra Fast Recovery Rectifiers Configuration: Single Reverse Voltage: 1000 V Forward Voltage Drop: 2 V Recovery Time: 48 ns Forward Continuous Current: 12 A Max Surge Current: 80 A Reverse Current IR: 10 uA Mounting Style: Through Hole Package / Case: TO-220-2
Référence: 59-03284
Caractéristique d'avalanche contrôlée
• Faible tension directe
• Temps de récupération ultra rapide
• Jonction passivée au verre
• Emballage hermétiquement scellé
Référence: 59-02970
Catégorie Puissance bipolaire Configuration Simple Courant continu de Collecteur maximum 30 A Dimensions 8.7 x 39.5 x 26.2mm Dissipation de puissance maximum 150 W Fréquence de fonctionnement maximum 0,2 MHz Gain en courant DC minimum 5 Hauteur 8.7mm Largeur 26.2mm Longueur 39.5mm Nombre d'éléments par circuit 1 Nombre de broche 3 Température d'utilisation maximum +200 °C Température de fonctionnement minimum -65 °C Tension Collecteur Base maximum 50 V Tension Collecteur Emetteur maximum 40 V Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 4 V Tension Emetteur Base maximum 5 V Type de boîtier TO-3 Type de montage Traversant Type de transistor NPN
Référence: 59-05286
Fabricant: GeneSiC Semiconductor Catégorie du produit: Redresseurs en pont RoHS: RoHS : conforme Détails Tension inverse de pointe: 600 V Tension inverse RMS maximale: 420 V Envoi du courant continu: 4 A Courant de surtension max.: 120 A Chute de tension directe: 1.1 V Courant de fuite inverse max.: 5 uA Température de fonctionnement max.: + 150 C Style de montage: Through Hole Package/Boîte: KBL Conditionnement: Bulk Marque: GeneSiC Semiconductor Température de fonctionnement min.: - 55 C Série: KBL4 Nombre de pièces de l'usine: 500
Référence: 59-02981
Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 45V(Min)- BD201 Complement to Type BD202/204 APPLICATIONS Designed for use in hi-fi equipment delivering an output of 15 to 15 W into a 4Ω or 8Ω load
Référence: 59-03329
Référence: 59-05273
Fabricant: GeneSiC Semiconductor Catégorie du produit: Redresseurs en pont RoHS: RoHS : conforme Détails Tension inverse de pointe: 600 V Tension inverse RMS maximale: 420 V Envoi du courant continu: 4 A Courant de surtension max.: 120 A Chute de tension directe: 1.1 V Courant de fuite inverse max.: 5 uA Température de fonctionnement max.: + 150 C Style de montage: Through Hole Package/Boîte: KBL Conditionnement: Bulk Marque: GeneSiC Semiconductor Température de fonctionnement min.: - 55 C Série: KBL4 Nombre de pièces de l'usine: 500