Semi-conducteurs
TIP42C, Transistor simple bipolaire, PNP, 100 V, 6 A, 65 W
Référence: 59-08263
1,100 TND
Prix
Le TIP42C est un transistor de puissance silicium-plastique complémentaire de -100V PNP conçu pour être utilisé dans des applications d'amplificateur de puissance et de commutation générales.
BD136, Transistor simple bipolaire (BJT), NPN, 45 V, 1.25 W, 1 A, 40 hFE
Référence: 59-07041
2,200 TND
Prix
Le BD136 est un transistor basse tension planaire épitaxial complémentaire PNP monté dans un boîtier en plastique. Conçu pour les amplificateurs et les drivers audio en utilisant des circuits complémentaires ou Quasi complémentaires.
Pré-sélectionné du gain de courant DC
Applications
Industrie, Gestion d'alimentation, Audio
Avertissements
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Transistor simple bipolaire (BJT), NPN, 45V, 1.25W, 1.5A, 250 hFE, BD135
Référence: 59-05780
2,200 TND
Prix
BU626 NPN 10A 400V package TO-3
Référence: 59-03255
2,700 TND
Prix
Type Designator: BU626
Material of Transistor: Si
Polarity: NPNPackage: TO3
BDV66C, Transistor de puissance PNP, Darlington, 120V, 16A, TO247
Référence: 59-08784
4,000 TND
Prix
Transistor bipolaire NPN, 2N3741
Référence: 59-02970
4,800 TND
Prix
Catégorie Puissance bipolaire Configuration Simple Courant continu de Collecteur maximum 30 A Dimensions 8.7 x 39.5 x 26.2mm Dissipation de puissance maximum 150 W Fréquence de fonctionnement maximum 0,2 MHz Gain en courant DC minimum 5 Hauteur 8.7mm Largeur 26.2mm Longueur 39.5mm Nombre d'éléments par circuit 1 Nombre de broche 3 Température d'utilisation maximum +200 °C Température de fonctionnement minimum -65 °C Tension Collecteur Base maximum 50 V Tension Collecteur Emetteur maximum 40 V Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 4 V Tension Emetteur Base maximum 5 V Type de boîtier TO-3 Type de montage Traversant Type de transistor NPN
Transitor NPN de puissance 60V 8A, BD201
Référence: 59-02981
6,000 TND
Prix
Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 45V(Min)- BD201 Complement to Type BD202/204 APPLICATIONS Designed for use in hi-fi equipment delivering an output of 15 to 15 W into a 4Ω or 8Ω load
EPROM ATMEL 256Kb (32Kx8) OTP 5V 70ns, AT27C256R70PU
Référence: 59-00927
15,000 TND
Prix
Fabricant: Atmel Catégorie du produit: EPROM RoHS: RoHS : conforme Détails Temps d'accès: 70 ns Type: OTP Taille de la mémoire: 256 kbit Entreprise: 32 k x 8 Type d'interface: Parallel Courant de fonctionnement : 100 uA Tension de programmation: 13 V Tension d'alimentation de fonctionnement: 5 V Température de fonctionnement max.: + 85 C Style de montage: Through Hole Package/Boîte: PDIP W-28 Marque: Atmel Température de fonctionnement min.: - 40 C Temps d'accès de la sortie activé: 30 ns Nombre de pièces de l'usine: 14 Tension d’alimentation - Max.: 5.5 V Tension d’alimentation - Min.: 4.5 V
2N5303, Transistor simple bipolaire (BJT), NPN, 80 V, 20 A, 200 W, TO-3, Traversant
Référence: 59-02967
9,000 TND
Prix
Eprom C-Mos/Uv 256K (32KX8) 150ns, M27C256B-15F1
Référence: 59-05526
12,000 TND
Prix
EPROM 256K (32KX8) 150ns
NPN Power Transistors, 2N5239
Référence: 59-01486
15,000 TND
Prix
Specifications: Package / Case TO-3 Transistor Polarity NPN Collector−Emitter Voltage Vceo 225V Minimum hfe @ Current Ic @ Vceo 20 @ 2A @ 10Vdc Minimum Base Current Ib 2A Maximum Current Ic 5A
BTA40-800B 40A, 800V, TRIAC, Gate Trigger 1.3V 100mA, 3-pin, Panel Mount, RD-91 STMicroelectronics
Référence: 59-05868
35,000 TND
Prix