Semi-conducteurs
Filtres actifs
BD679, Transistor Darlington NPN, 4A, 80 V, SOT-32, Traversant, 3 broches
Référence: 59-08788
1,000 TND
Prix
MAC97A8, TRIACS 600V 0.6A RMS 200THRU 600V
Référence: 59-01269
1,100 TND
Prix
Le MAC97A8 412 est un triac triphasé 3 broches, très sensible et 4 quadrants, destiné à être interconnecté directement aux microcontrôleurs, aux circuits intégrés logiques ou à d'autres circuits de déclenchement basse puissance. Passivation planaire pour fiabilité et robustesse de tension.
Interface directe avec des circuits logiques
Interface directe avec des microcontrôleurs et circuits driver de porte basse puissance
Capacité de tension de blocage élevée
Déclenchement dans les quatre quadrants
Porte très sensible
Applications
Industrie, Automatisme et contrôle de Process
Transistors bipolaires - BJT NPN Gen Pur Power, TIP29A
Référence: 59-05425
1,299 TND
Prix
Transistors bipolaires - BJT NPN Gen Pur Power
2N2222A, Transistor bipolaire, NPN, 600 mA, 40 V, TO-18, 3 broches
Référence: 59-02968
1,299 TND
Prix
Transistor bipolaire, NPN, 600 mA, 40 V, TO-18, 3 broches
Supply-Voltage Supervisors,7705AC
Référence: 59-04442
1,501 TND
Prix
Générateur de réinitialisation à la mise sous tension
Génération de réinitialisation automatique après la chute de tension
TIP42C, Transistor simple bipolaire, PNP, 100 V, 6 A, 65 W
Référence: 59-08263
1,100 TND
Prix
Le TIP42C est un transistor de puissance silicium-plastique complémentaire de -100V PNP conçu pour être utilisé dans des applications d'amplificateur de puissance et de commutation générales.
BD136, Transistor simple bipolaire (BJT), NPN, 45 V, 1.25 W, 1 A, 40 hFE
Référence: 59-07041
2,200 TND
Prix
Le BD136 est un transistor basse tension planaire épitaxial complémentaire PNP monté dans un boîtier en plastique. Conçu pour les amplificateurs et les drivers audio en utilisant des circuits complémentaires ou Quasi complémentaires.
Pré-sélectionné du gain de courant DC
Applications
Industrie, Gestion d'alimentation, Audio
Avertissements
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Transistor simple bipolaire (BJT), NPN, 45V, 1.25W, 1.5A, 250 hFE, BD135
Référence: 59-05780
2,200 TND
Prix
BU626 NPN 10A 400V package TO-3
Référence: 59-03255
2,700 TND
Prix
Type Designator: BU626
Material of Transistor: Si
Polarity: NPNPackage: TO3
BDV66C, Transistor de puissance PNP, Darlington, 120V, 16A, TO247
Référence: 59-08784
4,000 TND
Prix
Transistor bipolaire NPN, 2N3741
Référence: 59-02970
4,800 TND
Prix
Catégorie Puissance bipolaire Configuration Simple Courant continu de Collecteur maximum 30 A Dimensions 8.7 x 39.5 x 26.2mm Dissipation de puissance maximum 150 W Fréquence de fonctionnement maximum 0,2 MHz Gain en courant DC minimum 5 Hauteur 8.7mm Largeur 26.2mm Longueur 39.5mm Nombre d'éléments par circuit 1 Nombre de broche 3 Température d'utilisation maximum +200 °C Température de fonctionnement minimum -65 °C Tension Collecteur Base maximum 50 V Tension Collecteur Emetteur maximum 40 V Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 4 V Tension Emetteur Base maximum 5 V Type de boîtier TO-3 Type de montage Traversant Type de transistor NPN
Transitor NPN de puissance 60V 8A, BD201
Référence: 59-02981
6,000 TND
Prix
Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 45V(Min)- BD201 Complement to Type BD202/204 APPLICATIONS Designed for use in hi-fi equipment delivering an output of 15 to 15 W into a 4Ω or 8Ω load
2N5303, Transistor simple bipolaire (BJT), NPN, 80 V, 20 A, 200 W, TO-3, Traversant
Référence: 59-02967
9,000 TND
Prix
NPN Power Transistors, 2N5239
Référence: 59-01486
15,000 TND
Prix
Specifications: Package / Case TO-3 Transistor Polarity NPN Collector−Emitter Voltage Vceo 225V Minimum hfe @ Current Ic @ Vceo 20 @ 2A @ 10Vdc Minimum Base Current Ib 2A Maximum Current Ic 5A
BTA40-800B 40A, 800V, TRIAC, Gate Trigger 1.3V 100mA, 3-pin, Panel Mount, RD-91 STMicroelectronics
Référence: 59-05868
35,000 TND
Prix