BD679, Transistor Darlington NPN, 4A, 80 V, SOT-32, Traversant, 3 broches
Référence: 59-08788
Filtres actifs
Référence: 59-08788
Référence: 59-05425
Transistors bipolaires - BJT NPN Gen Pur Power
Référence: 59-02968
Référence: 59-00407
Capteur a effet Hal Micronas
Référence: 59-00083
Amplificateurs opérationnels - Amplis-Op
Référence: 59-06415
Référence: 59-08263
Le TIP42C est un transistor de puissance silicium-plastique complémentaire de -100V PNP conçu pour être utilisé dans des applications d'amplificateur de puissance et de commutation générales.
Référence: 59-07041
Le BD136 est un transistor basse tension planaire épitaxial complémentaire PNP monté dans un boîtier en plastique. Conçu pour les amplificateurs et les drivers audio en utilisant des circuits complémentaires ou Quasi complémentaires.
Pré-sélectionné du gain de courant DC
Applications
Industrie, Gestion d'alimentation, Audio
Avertissements
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Référence: 59-05780
Référence: 59-05801
Référence: 59-05799
Référence: 59-03255
Type Designator: BU626
Material of Transistor: Si
Polarity: NPNPackage: TO3
Référence: 59-08784
Référence: 59-03945
La description
Les dispositifs MOC303XM et MOC304XM consistent en une diode électroluminescente infrarouge GaAs couplée optiquement à un détecteur monolithique en silicium remplissant la fonction d'un pilote de triac bilatéral traversant la tension par zéro.
Ils sont conçus pour être utilisés avec un triac dans l'interface des systèmes logiques avec les équipements alimentés par des lignes de 115 VAC, tels que les téléimprimeurs, les CRT, les relais à semi-conducteurs, les commandes industrielles, les imprimantes, les moteurs, les solénoïdes et les appareils grand public, etc.
Référence: 59-05706
Amplificateur opérationnel Précision, alim. Simple, Double, 3 → 32 V, montage Traversant, PDIP 8 broches
Référence: 59-02970
Catégorie Puissance bipolaire Configuration Simple Courant continu de Collecteur maximum 30 A Dimensions 8.7 x 39.5 x 26.2mm Dissipation de puissance maximum 150 W Fréquence de fonctionnement maximum 0,2 MHz Gain en courant DC minimum 5 Hauteur 8.7mm Largeur 26.2mm Longueur 39.5mm Nombre d'éléments par circuit 1 Nombre de broche 3 Température d'utilisation maximum +200 °C Température de fonctionnement minimum -65 °C Tension Collecteur Base maximum 50 V Tension Collecteur Emetteur maximum 40 V Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 4 V Tension Emetteur Base maximum 5 V Type de boîtier TO-3 Type de montage Traversant Type de transistor NPN
Référence: 59-02981
Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 45V(Min)- BD201 Complement to Type BD202/204 APPLICATIONS Designed for use in hi-fi equipment delivering an output of 15 to 15 W into a 4Ω or 8Ω load
Référence: 59-03329
Référence: 59-02967
Référence: 59-01486
Specifications: Package / Case TO-3 Transistor Polarity NPN Collector−Emitter Voltage Vceo 225V Minimum hfe @ Current Ic @ Vceo 20 @ 2A @ 10Vdc Minimum Base Current Ib 2A Maximum Current Ic 5A
Référence: 59-00020
Multiplicateur analogique 4 quadrant 8-PDIP, AD633JN
Référence: 59-06427
Référence: 59-05537
Référence: 59-06467
Référence: 59-08498